SK 海力士 8 月 6 日将展示 AI 内存新品:12 层 HBM3E、321-high NAND 等

AI新闻2个月前发布 SUYEONE
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IT之家 8 月 1 日消息,SK 海力士今天(8 月 1 日)发布博文,宣布将出席 8 月 6 日至 8 日,在美国加利福尼亚州圣克拉拉举行的全球半导体存储器峰会 FMS 2024,展示诸多新一代产品。

未来存储器和存储峰会(Future MEMOry and Storage)简介

前身是主要面向 NAND 供应商的闪存峰会(Flash Memory Summit),在人工智能技术日益受到关注的背景下,今年重新命名为未来存储器和存储峰会(Future Memory and Storage),以邀请 DRAM 和存储供应商等更多参与者。

新产品

SK 海力士去年在 FMS 活动中宣布开发出业界最高的 321 层 NAND,今年也将展示诸多 AI 领域的新产品,包括 12 层 HBM3E(预计在第三季度量产)和 321-high NAND(明年上半年开始出货)。IT之家附上  SK 海力士即将展示的新产品如下:

从左上开始,顺时针依次为 321 层 NAND 闪存、ZUFS 4.0、PS1010 和 PCB01

从左上开始,顺时针依次为 LPDDR5T、HBM3E、CMS 2.0 和 GDDR6-AIM

演讲

SK hynix HBM 工艺集成主管 Unoh Kwon 和 SSD PMO 主管 Chunsung Kim 将在活动开幕式上发表题为《人工智能时代的 AI 内存和存储解决方案领导力与愿景》的主题演讲。

两位高管将分别介绍公司的 DRAM 和 NAND 产品组合,以及为实现人工智能优化人工智能内存解决方案。

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